三星电子宣布了开始量产业界首款1TB容量的eUFS（embeddedUniversalFlashStorage）2.1芯片。它利用了三星最新的第五代V-NAND技术，叠合16层512Gb闪存，并且搭配上专为它开发的全新控制器，可以提供1,000MB/s的连续读取速度，大约是SATASSD的2倍，microSD卡的5倍（但芯片大小还是跟512GB的组件一样）。三星表示这让它更适合大带宽的应用，例如高帧数视频的拍摄、4K视频的观赏等。
三星并没有说明首批搭载的产品将由谁推出（S10的可能性应该最大吧？），但表示在2019年上半年将会扩大第五代V-NAND工厂的产能，以应付来自世界各国的1TBeUFS订单。
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