三星5nm EUV研发完成 性能提升10%明年量产

三星5nm EUV研发完成 性能提升10%明年量产

来源TGBUS编译作者2019-04-16

三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而可以在更小的芯片面积当中提供更强的性能并且功耗更低。

今天三星宣布,已经成功完成了5nm EUV开发,并且相应的样品已经给客户送去,而由于加入了EUV(极紫外线光刻)技术,在更先进工艺制程加持下,可以让芯片拥有更好的功耗和性能。

据悉,与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而可以在更小的芯片面积当中提供更强的性能并且功耗更低。同时在6nm和7nm工艺方面也有了很大的进展。

三星5nm EUV研发完成 性能提升10%明年量产

除了从7nm到5nm的功率性能区域(PPA)改进之外,用户还可以使用三星的EUV技术,在金属层图案化中使用EUV光刻,并减少掩膜层,同时可以提供更好的保真度。三星还将自己在7nm时代的所有知识产权用到了5nm工艺的研发当中,因此可以减少客户从7nm过渡到5nm的成本,并可以预先验证设计生态系统,从而缩短5nm产品开发的流程和时间。

三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae表示:“功完成5nm开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力,响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

此前,台积电宣布的情况是,的第一代5nm是他们第二次引入EUV技术,多达14层;而第二代7nm的EUV,只有4层规模。

不出意外的话,明年新iPhone的A14芯片,大概率还是会交给台积电代工。当然,如果三星的新工艺能过关的话,也还是能拿到高通等厂商的订单的。

现在台积电三星在工艺制程上的竞争相当激烈,从10nm、7nm再到5nm,进步都相当神速。相比之下,另外一家晶圆大厂英特尔的速度就要慢得多了。现在,英特尔旗下的处理器基本还是14nm工艺,从2014年启用已经有4年多时间,10nm工艺则还要等到年底才会上线。尽管英特尔不给其他厂商做芯片代工,但在工艺上处于落后状态已经是不争的事实。


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